Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

990 EVO Plus NVMe M.2 SSD 2TB

463,0 €

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Descrizione
Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.
Scheda tecnica
SAMSUNG
MZ-V9S2T0BW
20 Articoli
8806095575650
MZ-V9S2T0BW
Schermo incluso
No
Sistema operativo incluso
Windows 11 Pro
Tipo di prodotto
PC
Adattatore di scheda grafica separato
No
Scheda grafica integrata
Capacità totale di archiviazione
512 GB
Tipo drive ottico
No
Famiglia processore
Intel® Core™ i7
Interfaccia
PCI Express 4.0
Componente per
PC
Dimensione SSD
M.2
Capacità SSD
2 TB
Tipo memoria
V-NAND TLC
NVMe
criptaggio hardware
Memoria Interna
16 GB

Scheda tecnica completa

Condizioni ambientali

  • 0 - 70 °C
  • 1500 G

Dimensioni e peso

  • 80,2 mm
  • 2,38 mm
  • 80,2 mm
  • 9 g

Gestione energetica

  • 3,3 V
  • 4,6 W
  • 4,2 W
  • 4,2 W
  • 4,6 W
  • 0,06 W
  • 5 mW

Caratteristiche

  • 2 TB
  • M.2
  • PCI Express 4.0
  • 2.0
  • V-NAND TLC
  • PC
  • 256-bit AES
  • 2280 (22 x 80 mm)
  • 7250 MB/s
  • 6300 MB/s
  • 1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • 1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • 1500000 h